采用陶瓷金屬封裝技術(shù)，利用氮化鋁陶瓷具有耐高溫、絕緣性能好、介電常數(shù)高又能導(dǎo)熱特點(diǎn)。 首先是解決陶瓷金屬化問題，采用最先進(jìn)高真空鍍膜技術(shù)，把氮化鋁金屬化；再使用光刻和刻蝕技術(shù)，在陶瓷上印刷電路；同時利用金基焊料的溫度梯度（280℃、350 ℃、450 ℃）解決復(fù)雜結(jié)構(gòu)和多芯片的陶瓷金屬封裝難題。 SS®陶封技術(shù)解決了第三代半導(dǎo)體五大問題：1、熱匹配問題；2、絕緣性問題；3、氣密性問題；4、封裝技術(shù)；5、規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)。
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